Comme beaucoup d'autres l'ont mentionné, la RAM moderne n'est volatile que par conception - et non par exigence. La SDRAM et la DDR-SDRAM ont également le problème de nécessiter un rafraîchissement pour rester fiables en fonctionnement. C'est juste la nature des modules de RAM dynamique. Mais, je ne pouvais pas m'empêcher de me demander s'il y avait une autre option disponible. Quels types de mémoire existent qui peuvent correspondre aux critères? Dans cette procédure, je ne couvrirai que la mémoire pouvant être lue / écrite au moment de l'exécution. Cela élimine les ROM, PROM et autres puces à usage unique - elles sont censées rester immuables une fois programmées.
Si nous nous rapprochons un peu plus du côté non volatile du spectre, nous rencontrons de plus en plus de SRAM - mais sa non-volatilité est assez limitée. En réalité, il ne s'agit que de la rémanence des données. Il ne nécessite pas d'actualisation, mais il perdra certainement ses données lorsque l'alimentation est coupée pendant trop longtemps. En plus de cela, il est également un peu plus rapide que la DRAM - jusqu'à ce que vous atteigniez la taille en Go. En raison de la taille accrue des cellules mémoire (6 transistors par cellule), par rapport à la mémoire DRAM, la viabilité de l'avantage de la vitesse de la mémoire SRAM commence à s'estomper à mesure que la taille de la mémoire utilisée augmente.
La prochaine étape est BBSRAM - SRAM sauvegardée par batterie. Ce type de mémoire est une version modifiée de la mémoire SRAM qui utilise une batterie pour devenir non volatile en cas de panne de courant. Cependant, cela introduit quelques problèmes. Comment se débarrasse-t-on d'une batterie une fois que c'est fait? Et la SRAM n’est-elle pas déjà assez grosse en tant que telle? L'ajout d'un circuit de gestion de l'alimentation et d'une batterie au mixage réduit uniquement la quantité d'espace pouvant être utilisée pour les cellules de mémoire réelles. Je ne me souviens pas non plus que les piles aient bien fonctionné avec une exposition prolongée à la chaleur ...
Outre le côté non volatile du spectre, nous examinons maintenant l’EPROM. "Mais attendez", demandez-vous - "EPROM n'est-il pas un usage unique?" Pas si vous avez une lumière UV et la volonté de prendre des risques élevés. Les EPROM peuvent être réécrites si elles sont exposées aux rayons ultraviolets. Cependant, une fois programmés, ils sont généralement emballés dans une enceinte opaque, qui doit être retirée en premier. Très peu pratique, vu qu'il ne peut pas être réécrit en cours d'exécution, en circuit. Et vous ne seriez pas en mesure de cibler des adresses / cellules de mémoire individuelles - seulement effacer. Mais, EEPROM pourrait aider ...
Le terme EE signifie «électriquement effaçable». Cela ouvre la porte aux opérations d’écriture se produisant pour la première fois dans le circuit (par rapport à ROM, PROM et EPROM). Cependant, les EEPROM utilisent des transistors à grille flottante. Cela conduit à une accumulation progressive d'électrons piégés, ce qui finira par rendre les cellules de la mémoire inutilisables. Ou bien, les cellules de mémoire pourraient subir une perte de charge. Cela conduit à laisser la cellule dans un état effacé. C'est une peine de mort planifiée - pas ce que vous cherchiez.
MRAM est le suivant dans la liste. Il utilise une jonction de tunnel magnétique, constituée d'un aimant permanent couplé à un aimant interchangeable (séparé par une couche isolante mince), comme mèche. Selon Wikipedia ,
" La méthode de lecture la plus simple consiste à mesurer la résistance électrique de la cellule. Une cellule particulière est sélectionnée (généralement) en alimentant un transistor associé qui fait passer le courant d'une ligne d'alimentation passant de la cellule à la terre. Grâce à la magnétorésistance du tunnel, La résistance électrique de la cellule change en raison de l'orientation relative de l'aimantation dans les deux plaques. La mesure du courant résultant permet de déterminer la résistance à l'intérieur d'une cellule donnée, et à partir de celle-ci la polarité d'aimantation de la plaque inscriptible. "
Cette forme de mémoire est basée sur des différences de résistance et de tension de mesure, plutôt que sur des charges et des courants. Il n'a pas besoin de pompe de charge, ce qui contribue à réduire son consommation d'énergie par rapport à la DRAM, en particulier pour les variantes à base de STT. La conception de la mémoire MRAM présente de nombreux avantages, notamment une densité de mémoire comparable à celle de la mémoire DRAM; performances et vitesse comparables à celles de la mémoire SRAM dans des cas de test limités; consommation d'énergie bien inférieure à celle de la DRAM; et absence de dégradation due aux opérations répétées de lecture / écriture. Cela a mis la MRAM à l'honneur pour les chercheurs et les scientifiques, ce qui a contribué à son développement. En fait, il est également considéré comme un candidat possible à la " mémoire universelle ". Cependant, les coûts de fabrication pour ce type de mémoire restent très élevés,autres options - celles qui semblent un peu lourdes à ce stade.
Je pourrais passer en revue la RAM ferroélectrique, mais c'est une option plutôt triste. La structure de la mémoire F-RAM est similaire à celle de la mémoire DRAM: remplacez simplement la couche diélectrique par un matériau ferroélectrique. Il consomme moins d'énergie, sa résistance en lecture / écriture est bonne, mais les avantages diminuent par la suite. Il a des densités de stockage beaucoup plus basses, un plafond de stockage pur et simple, un processus de lecture destructif (nécessitant des modifications de tout circuit intégré pour le gérer avec un archivage écriture après lecture) et un coût global plus élevé. Pas beau à voir.
SONOS , CBRAM et Flash-RAM (NAND Flash, base NOR, etc.) sont les dernières options du spectre . Un stockage commun semblable à un disque SSD ne suffira pas, nous ne pouvons donc trouver aucune option viable à la fin de ce spectre. SONOS et Flash-RAM souffrent tous deux de problèmes de vitesses de lecture / écriture limitées (utilisées principalement pour le stockage permanent - non optimisées pour des vitesses de fonctionnement similaires à celles de RAM), de la nécessité d'écrire par blocs et d'un nombre limité de cycles de lecture / écriture avant de dire " bonne nuit'. Ils peuvent être utiles pour la recherche de personne, mais ils ne fonctionneront certainement pas pour un accès haute vitesse. CBRAM est également un peu trop lent pour vos besoins.
L'avenir de cette chasse est sombre pour le moment. Mais ne craignez rien - j'ai laissé quelques mentions honorables pour votre lecture personnelle. T-RAM (Thysistor-RAM), Z-RAM et nvSRAM sont également des candidats possibles. Alors que T-RAM et Z-RAM nécessitent toutes les deux une actualisation occasionnelle (par rapport à DRAM, SDRAM et DDR-SDRAM), nvSRAM est exempt de telles exigences. Ces trois options offrent soit une meilleure densité de mémoire, de meilleures vitesses de lecture / écriture et / ou de meilleurs taux de consommation d'énergie. Ils n'ont également pas besoin de piles, ce qui est un avantage considérable (BBSRAM pleure dans un coin). En regardant de plus près nvSRAM, il semble que nous ayons trouvé le candidat viable pour le remplacement tant redouté de la DDR-SDRAM.
Mais bientôt (du moins pour ceux qui ont choisi de lire jusque-là), nous pleurerons tous dans nos propres coins. En plus d'avoir les mêmes problèmes de taille que SRAM, nvSRAM n'est pas non plus disponible dans des modules suffisamment volumineux pour une utilisation en tant que remplacement approprié de DDR-SDRAM. Les options sont là, mais elles ne sont pas encore prêtes pour la production (comme MRAM) ou ne le seront tout simplement jamais (nvSRAM). Et avant que vous ne le demandiez, la mémoire i-RAM Gigabyte est également disponible. Elle ne fonctionne que via une interface SATA, ce qui engendre un goulot d'étranglement au niveau des performances. Il a aussi une batterie. Je suppose que nous devrions tous regarder où la mémoire peut être va prochain ? Une fin douce-amère, je suppose.
