La lecture des données entraînera-t-elle l'usure des SSD?

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Il est de notoriété publique qu'un nombre excessif d'écritures (y compris le formatage, la défragmentation, etc.), à terme, usera les disques SSD. Mais la lecture de nombreuses données à partir de la cause du SSD s'use-t-elle aussi?

Je prévois d'activer la prélecture sur une machine Linux avec un SSD. J'ai parfois désactivé.

ssd storage

— Wander Nauta
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Je voudrais noter que, bien que ce soit de notoriété publique, la plupart des gens surestiment largement la vitesse à laquelle ils manqueront d'écritures sur un SSD. Intel indique spécifiquement vous pouvez écrire sur 21 Go par jour pendant dix années consécutives sans épuiser les écritures sur leur niveau de consommation des lecteurs.

— Shinrai

(De plus, ne défragmentez jamais un SSD de toute façon, car il ne fera rien d'utile.)

— Shinrai

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Pensez à plier un morceau de métal (comme un cintre). Vous pouvez «écrire» des informations dessus (par exemple, straight = 0, bent = 1) en les pliant et «lire» les informations en les regardant. Vous pouvez le lire autant de fois que vous le souhaitez sans dommage (significatif), mais vous ne pouvez y écrire que tant de fois avant qu'il ne casse.

— Synetech

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@Synetech - J'ai l'impression que l'emplacement physique des données sur un SSD est à la fois A: largement hors de propos dans 99% des cas et B: mal compris par la plupart des logiciels de défragmentation car ils sont écrits sur des disques durs, et aussi sur le contrôleur le lecteur gère la plupart de ces éléments (objets placés à différents endroits à des fins de nivellement de l'usure, etc.). Bien sûr, simplifiant à l'extrême.

— Shinrai

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Presque toutes les informations contenues dans ces commentaires sont obsolètes.

— David Schwartz

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N'affecte pas l'appareil. La durée de vie en écriture limitée de Flash est une conséquence naturelle de leur fonctionnement.

Les données sur les lecteurs Flash sont sécurisées car les bits sont stockés par des électrons enfermés dans une couche très bien isolée. Ces électrons, s'ils sont présents, produisent un champ électrique qui peut être capté par un transistor à proximité. Puisqu'ils sont verrouillés, la lecture du transistor n'affecte pas les électrons. Pendant les écritures, cependant, pour que les électrons traversent cette couche, Flash a besoin de très hautes tensions. Ces hautes tensions causent des dommages à la couche d'isolation, qui s'accumule.

En comparaison, la DRAM n'a pas une telle couche d'isolement. Les électrons se déplacent assez facilement. En conséquence, la DRAM est plus rapide et ne se décompose pas des écritures, mais les électrons qui fuient doivent souvent être remplacés. Coupez l'alimentation et ils sont tous partis en quelques millisecondes.

— MSalters
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Bien que les lectures elles-mêmes ne soient pas directement nocives, il convient de noter que des lectures excessives peuvent entraîner la génération d'écritures en arrière-plan par le micrologiciel. Cela dit, le contexte écrit sera probablement insignifiant dans la plupart des cas. Plus d'infos: superuser.com/a/725145/6091

— volez

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Je ne crois pas que le processus de lecture affecte les cellules NAND bien que je puisse me tromper (par exemple, regardez vers le bas de cet article ). Il se peut que si une "page" ou un bloc d'effacement n'est pas reprogrammé dans un temps très long, il y a une probabilité (probablement très faible) que certains des bits reviennent à un état non programmé. Je ne sais pas si le firmware en tient compte et réécrit / remappe les pages qui n'ont pas été lues depuis longtemps.

— LawrenceC
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Intéressant. Avez-vous justement plus d'informations (que cet article) sur ce comportement?

— dtmland

Malheureusement, je vais essayer de me rappeler de mettre à jour si je rencontre plus d'informations.

— LawrenceC

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Il convient de noter que les lectures elles-mêmes ne sont pas nocives, mais des lectures excessives peuvent entraîner la génération d'écritures en arrière-plan du micrologiciel pour contrer les erreurs de rétention et les erreurs de lecture. @dtmland Voir ma réponse à une question similaire qui a été inspirée par la réponse d'ultrasawblade. superuser.com/a/725145/6091

— volez

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La section fiabilité de ce tableau ne le mentionne pas, donc je suppose que les lectures n'affectent pas le lecteur.

— Bart van Heukelom
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Ce serait mon hypothèse également, mais je voudrais être très sûr - la désactivation de la prélecture est gratuite, les nouveaux SSD coûtent une fortune.

— Wander Nauta

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La mémoire flash n'est qu'un eeprom (une puce qui peut être reprogrammée. C'est la reprogrammation qui cause l'usure, les lectures sont illimitées. Pour lire sa mémoire juste. Http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#NAND_flash cet article parle un peu sur le fonctionnement de la reprogrammation et sur la façon dont elle «brûle» les données en mémoire.

— Brian
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Flash! == EEPROM

— Alvin Wong

Oui, ce n'est pas techniquement EEPROM, mais cela est toujours vrai dans la mesure où les lectures ne causent aucun dommage.

— Shinrai