Quels modificateurs de diode sont utilisés dans la pratique pour modéliser des LED avec SPICE (Berkeley v.3f5)? Ceux - ci sont à ma disposition:
# Name Parameter Units Default Example Area
1 IS Saturation current A 1e-14 1e-14 *
2 RS Ohmic resistance Ω 0 10 *
3 N Emission coefficient - 1 1.0
4 TT Transit-time s 0 0.1ns
5 CJO Zero-bias junction capacitance F 0 2pF *
6 VJ Junction potential V 1 0.6
7 M Grading coefficient - 0.5 0.5
8 EG Activation energy eV 1.11 1.11 Si
0.69 Sbd
0.67 Ge
9 XTI Saturation-current temperature exponent 3.0 3.0 jn
2.0 Sbd
10 KF Flicker noise coefficient - 0
11 AF Flicker noise exponent - 1
12 FC Coeff. for for.-bias dep. cap. formula 0.5
13 BV Reverse breakdown voltage V ∞ 40.0
14 IBV Current at breakdown voltage A 1.0e-3
15 TNOM Parameter measurement temp. °C 27 50
3.4.2 Modèle de diode (D)
Les caractéristiques cc de la diode sont déterminées par les paramètres IS et N. Une résistance ohmique, RS, est incluse. Les effets de stockage de charge sont modélisés par un temps de transit, TT, et une capacité de couche à épuisement non linéaire qui est déterminée par les paramètres CJO, VJ et M. La dépendance en température du courant de saturation est définie par les paramètres EG, l'énergie et XTI, l'exposant de la température actuelle de saturation. La température nominale à laquelle ces paramètres ont été mesurés est TNOM, la valeur par défaut étant celle définie pour l'ensemble du circuit sur la ligne de commande .OPTIONS. La décomposition inverse est modélisée par une augmentation exponentielle du courant de diode inverse et est déterminée par les paramètres BV et IBV (les deux étant des nombres positifs).
Par exemple, en utilisant ce rouge bon marché de base:
Je me moque bien des caractéristiques haute fréquence - je voudrais juste pouvoir faire correspondre sa courbe IV à ses spécifications de fonctionnement (-10uA / -5V fuite à + 100mA / + 2,2 ' V en avant):