Quelle est la différence entre 1N4001 et 1N4007 autre que leur tension inverse maximale?


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J'ai comparé les diodes 1N400x ici . Pour autant que je vois, toutes leurs propriétés sont les mêmes que leurs tensions inverses maximales.

Leur

  • courant maximum
  • le temps de récupération
  • courant de fuite inverse
  • capacitance

sont identiques.

Il semble que 1N4007 soit la super version de toutes les autres diodes 1N400x. Alors, pourquoi produire des diodes 1N4001 ... 1N4006, et pourquoi les acheter? Si 1N4007 fait le travail seul, alors pourquoi les autres versions sont-elles toujours sur le marché?

Réponses:


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Les réponses de @Vasiliy et @johnfound sont incorrectes. Les diodes 1N400x ne sont pas toutes identiques à l'exception des variations de fabrication "accidentelles".

Les diodes avec des valeurs nominales de tension inverse plus élevées sont intentionnellement fabriquées avec un dopage plus léger de sorte que la région d'appauvrissement pour une tension inverse donnée soit plus large qu'elle ne le serait autrement. L'inconvénient d'un dopage plus léger est que la résistance directe et la chute de tension pour une diode haute tension sont plus élevées que pour une diode basse tension.

Ainsi, vous pouvez utiliser un 1N4007 pour toutes vos applications, mais l'efficacité de votre circuit sera légèrement plus élevée si vous utilisez une diode plus appropriée dans les applications basse tension.


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Selon les spécifications du fabricant, la chute de tension directe est totalement égale pour toutes les diodes 1N400x.
johnfound

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1VBVB

... Pouvez-vous fournir une référence pour votre réponse? Je peux à peine croire que les fabricants de diodes jettent simplement des diodes peu performantes et n'essaient pas de les vendre comme un appareil moins tolérant.
Vasiliy

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Je me souviens avoir vu une augmentation de la tension directe du 4007 par rapport au 4001, il y a une trentaine d'années (malheureusement, je n'ai plus les données pertinentes). Il est possible que la fabrication ait changé et ce n'est plus vrai; Je ne vois aucune preuve actuelle pour cela.
Brian Drummond

Je pense qu'il y a un binning en cours, mais ce n'est pas tout. Les diodes 1n4007 sont beaucoup plus volumineuses que les 1n4001 si je me souviens bien ...
jbord39

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En raison des variations de processus, les dispositifs semi-conducteurs fabriqués peuvent avoir des caractéristiques différentes. De nombreux fabricants utilisent une stratégie de « binning » pour les pièces fabriquées: ils testent les pièces et les répartissent entre plusieurs «bacs» en fonction des performances des appareils. Une fois cela fait, ils peuvent vendre les appareils les plus performants pour plus d'argent.

Je suis complètement sûr que la stratégie de binning est utilisée pour 1N400x, mais je ne peux pas dire combien de pools ont été initialement produits. Je suppose que 2 pools, dont 7 bacs ont été dérivés. Cette supposition est basée sur le fait que les données de capacité de jonction typique dans la fiche technique ont deux régions. Même si j'ai raison sur ce fabricant, le nombre de piscines peut être spécifique au fabricant.

La différence entre ces diodes est principalement leur tension de claquage inverse. Il existe de nombreux autres paramètres qui diffèrent; une partie des différences sont mentionnées dans la fiche technique (comme la capacité de jonction susmentionnée), d'autres ne le sont pas. En général, le rapport x20 dans les tensions de claquage inverses (entre 1N4001 et 1N4007) reflète des différences majeures dans les propriétés des jonctions. Ces propriétés doivent affecter presque tous les paramètres électriques de la diode.

Les fabricants ont tendance à représenter ces diodes comme ayant exactement les mêmes propriétés car les différences très fines ne sont pas importantes pour les principaux domaines d'emploi de ces diodes. Il existe cependant des applications qui nécessitent plus de précision.

Les gens disent qu'il existe également des applications qui profitent de la panne inverse des diodes. Dans ces applications, vous souhaiterez peut-être pouvoir choisir une tension de claquage appropriée. Je ne connais pas les détails cependant.

Je suppose qu'il y a des années, lorsque ces diodes venaient d'être introduites et que les processus semi-conducteurs n'étaient pas arrivés à maturité, les différences entre les différentes diodes étaient plus prononcées.

Sommaire:

Si le prix est le même et que vous utilisez ces diodes dans des applications "standard" (comme le redressement à basse fréquence), vous pouvez utiliser n'importe laquelle d'entre elles tant qu'elle répond à vos exigences de tension de claquage inverse. Si vous prévoyez de les utiliser pour quelque chose de plus sensible, vous voudrez peut-être les tester tous pour voir lequel convient le mieux.


+1 pour "les procédés semi-conducteurs n'étaient pas matures". Il faut se demander si certaines parties ne sont même pas regroupées de nos jours, mais simplement étiquetées comme dictées par la demande, et propagées simplement parce que ce sont des parties fondamentales qui ne deviendront probablement jamais obsolètes.
Trevor_G

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Il semble y avoir deux types de diodes fondamentalement différents vendus sous la référence 1N4001..1N4007. Le premier type est une diode conventionnelle et est vendu comme 1N4001..1N4005. Il n'y a aucun inconvénient (sauf éventuellement le prix) à utiliser des diodes 1N4005 pour tout. D'après mon expérience, la différence de prix est très nominale ou inexistante en grande quantité, par exemple dans les listes de Digikey à 100 000 $, à la fois à 11,20 $ / k au moment de la rédaction de cet article.

Le deuxième type est une construction PIN et est utilisé pour 1N4006 et 1N4007.

1N4006-1N4007 ont un temps de récupération avant et arrière pire. Ils ont également une capacité de jonction inférieure à toutes les tensions de polarisation inverse (par exemple, 10pF contre 15pF à -10V). Pour des courbes réelles illustrant la différence, reportez-vous aux livres de données de la bibliothèque de semi-conducteurs de Motorola. Par exemple:

entrez la description de l'image ici

Pour la rectification 50 / 60Hz, il y a peu de différence substantielle, et il n'y a pas de différence de tension directe à un courant donné.

Dans les temps modernes, nous utiliserions probablement un type de diode différent à des fréquences plus élevées (sur une onde carrée de quelques kHz ou peut-être une onde sinusoïdale de 5 kHz), de sorte que les différences ne sont plus aussi importantes, mais quelques personnes ont poussé les types de PIN dans le service RF.


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J'aime bien la réponse de Spehro Pefhany, mais dans les fiches techniques d'aujourd'hui, beaucoup ne mentionnent plus aucune différence ... http://www.comchiptech.com/cms/UserFiles/QW-BG013%201N4001%20Thru456224.%201N4007%20REV .A.pdf

http://www.mccsemi.com/up_pdf/1N4001-1N4007(DO-41).pdf

http://www.vishay.com/docs/88504/1n4001gp.pdf

http://www.onsemi.com/pub/Collateral/1N4001-D.PDF

La version originale de Diodes Inc. a cette différence, où la capacité de jonction est pire pour les versions à basse tension ...

Extrait de la fiche technique des diodes

Mais ils sont tous 8pF dans les nouvelles versions 1N400xG ...

Version G

Il semble qu'il n'y ait plus de différence perceptible, à part que de nombreuses nomenclatures ont des versions différentes spécifiées, donc chaque MFR continue d'offrir chaque version.


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Ce sont tous la même diode. La technologie des semi-conducteurs n'est pas si précise, donc les diodes, produites dans un cycle technologique sont différentes. Après le tri, ils sont marqués respectivement. C'est une pratique courante non seulement pour les diodes.

De plus, parfois (pas très souvent), il existe des schémas où la diode fonctionne en mode de panne d'avalanche, vous aurez donc besoin de la tension de panne pour être prévisible.

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