La réponse est à la fin, mais au cas où vous ne seriez pas familier avec le concept de condensateur MOS, je ferai un bref examen.
Condensateur MOS:
La grille du transistor MOSFET est essentiellement un condensateur. Lorsque vous appliquez une tension à ce condensateur, il répond en accumulant une charge électrique:
La charge accumulée sur l'électrode de grille est inutile, mais la charge sous l'électrode forme un canal conducteur qui permet à un courant de circuler entre les bornes source et drain:
Le transistor se met sous tension lorsque la charge stockée dans ce condensateur devient appréciable. La tension de grille à laquelle cela se produit est appelée tension de seuil (c'est essentiellement la tension de grille au corps qui est pertinente ici, mais supposons que le corps est défini comme un potentiel nul).
Comme vous le savez peut-être, la charge d'un condensateur via une résistance prend du temps (il y a toujours une certaine résistance présente, même si le schéma ne contient pas de résistances). Cette durée dépend à la fois de la valeur du condensateur et de la résistance:
En combinant toutes les déclarations ci-dessus, nous obtenons:
- Transistor's Gate est un condensateur qui doit être chargé à travers une résistance pour que le transistor "se mette en marche"
- Plus la capacité d'entrée de la porte est élevée, plus il faut de temps pour commuter le transistor sur ON
- Plus la résistance entre la source de tension et la porte est élevée, plus il faut de temps pour commuter le transistor sur ON
- Plus la tension appliquée extérieurement est élevée, plus il faut de temps pour mettre le transistor sous tension.
La réponse:
Lorsque les gens disent "capacité de commande de grille médiocre", cela signifie que les temps d'activation et de désactivation du transistor dans une configuration donnée sont trop longs.
"Trop longtemps par rapport à quoi?" vous pourriez demander, et c'est la question la plus importante à poser. Les temps d'activation / désactivation requis dépendent de nombreux aspects, dans lesquels je ne veux pas entrer. À titre d'exemple, pensez à piloter le transistor avec une onde carrée périodique ayant un rapport cyclique de 50% et une période de 10 ms. Vous voulez que le transistor soit passant pendant la phase haute et bloqué pendant la phase basse du signal. Maintenant, si le temps d'activation du transistor dans une configuration donnée sera de 10 ms, il est clair que 5 ms de signal de phase élevée ne suffiront pas du tout à l'activer. La configuration donnée a une "faible capacité d'entraînement de la porte".
Lorsque vous avez utilisé le transistor pour allumer la LED, vous n'avez pas utilisé de hautes fréquences de commutation, non? Dans ce cas, le temps de commutation du transistor n'était pas d'une importance majeure - vous vouliez juste voir qu'il finit par s'allumer / s'éteindre.
Sommaire:
La "capacité de commande de porte" ne peut pas être bonne ou mauvaise en général, mais elle est suffisamment bonne pour votre application ou non. Dépend des temps de commutation que vous souhaitez atteindre.
Afin de réduire les temps de commutation, vous pouvez effectuer les opérations suivantes:
- Réduisez la résistance à la porte
- Augmentez la tension / intensité nominale des circuits de commande
Il n'y a rien que vous puissiez faire concernant la capacité de Gate - c'est une propriété intégrée du transistor.
J'espère que cela t'aides
