Qu'est-ce qu'un substitut populaire, bon marché et robuste pour le MOSFET 2n7000 pour une utilisation avec des conceptions de 3,3 volts? [fermé]

Quels sont les équivalents populaires du 2n7000 , pour les circuits MCU 3,3 volts pour commuter les appareils à tension plus élevée?

Contexte: Pour les prototypes et les expériences basés sur un microcontrôleur 5 volts, ma solution de choix pour la commutation basse fréquence et bas côté des courants 50-200 mA ou des appareils 10-40 volts entraînés par une broche numérique / PWM, a été très bon marché (0,05 $ vente au détail ici en Inde) et MOSFET 2n7000 disponible partout.

Le meilleur aspect de l'utilisation de ce MOSFET est que j'ai créé un tas de petits PCB de construction avec une résistance de porte de 100 Ohms et une porte de 10 k, et je les branche simplement sur presque tout ce qui n'est pas à haute fréquence ou à charge élevée . Cela fonctionne et est presque à l'épreuve des balles. Si je pouvais trouver des éléments de réseau 4 x 2n7000 localement, je suis sûr que je ferais aussi des blocs de construction à 4 canaux.

Lorsque vous travaillez avec des microcontrôleurs et des cartes 3,3 volts (par exemple, TI MSP430 Launchpad ), quelle est la solution de commutation robuste, facilement disponible et équivalente , le cas échéant, vers laquelle on se tourne pour un prototypage rapide non critique?

Je finis actuellement par utiliser le 2n7002 , qui ne s'allume pas assez fort, ou diverses pièces IRL / IRLZ, bien qu'elles coûtent jusqu'à 10-20 fois plus. Les IRL / LZ sont souvent indisponibles sur étagère sur la "rue du marché des composants électroniques" où je prends des pièces aléatoires pour mes étagères de composants personnels lorsque je ne travaille pas sur une nomenclature ou un plan.

L' AO3422 suggéré dans les commentaires à cette question n'est tout simplement pas disponible localement dans le commerce de détail.

Je veux éviter les BJT à cet effet car ils ont tendance à être plus chauds que les MOSFET, et je crée quand même assez de gadgets de fumée magique.

Je sais qu'il n'y a pas nécessairement une bonne réponse à cela, mais de bons conseils seraient, j'en suis sûr, bénéfiques pour de nombreuses personnes sautant dans des appareils 3,3 volts.

$V_{GS(th)}$$I_D$$V_{DS}$

Le seul inconvénient est qu'ils sont montés en surface uniquement - vous devrez faire tourner un petit PCB pour les utiliser.

Mon préféré pour les circuits 3,3 volts et même 2,5 volts est les MOSFET SI4562 , N et P dans un seul boîtier, avec un Rdson beaucoup plus faible pour les canaux N et P que le 2n7000. Ils ne sont pas chers à environ 0,37 $ par pièce sur eBay. Même si vous n'utilisez que le N ou le P, c'est une bonne affaire. Il est toujours beaucoup plus cher que le 2n7000, mais même dans ce cas, il s'agit d'un MOSFET bien meilleur que le 2n7000. Le courant est de 4 à 6 ampères pour chaque canal, pas des milliampères comme 2n7000. J'ai fait un hbridge en l'utilisant pour conduire un petit moteur et il ne faisait même pas chaud alors qu'en utilisant le BJT il faisait très chaud.

RDSON pour le canal P est de 0,05 ohms et pour le canal N est de 0,035 ohms à une valeur VGS de 2,5 volts.

Ma suggestion est Fabricant Diodes Inc DMN4800LSS-13 Description MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

en 1K qté env. 17 cents

Qu'en est-il du 2N7002PW de NXP? Fondamentalement, le même appareil au même prix dans un boîtier plus petit (SC-70), mais avec un RDSon inférieur (1 Ohm contre 2,8 Ohm) et devrait s'allumer plus fort selon les graphiques.

Je m'en tiens généralement au 2N7000 et à une plus grande résistance de charge de drain (10k ou plus) et il est assez fiable comme je l'ai découvert. J'ai utilisé Raspberry Pi qui ne peut pratiquement pas générer ou absorber de courant (7mA max ou la carte de 35 $ est grillée), donc mes conceptions sont généralement parsemées de 2N7000 et avec une charge de drain plus élevée, et les pièces CMOS en aval sont assez fiables.