Courant de base et relation Vce dans les caractéristiques de sortie du transistor NPN

En ce qui concerne la région active d'un transistor NPN et les courbes de sortie, pour un Ib fixe lorsque le Vce est augmenté, le Ic augmente; à savoir effet précoce.

Si je ne me trompe pas, c'est parce que l'augmentation de Vce rend la base plus fine.

Comment pouvons-nous logiquement tirer le reste d'ici?

Voici ce que je suppose lorsque je regarde les caractéristiques de sortie:

Vce augmente -> La base s'amincit ---> La recombinaison dans la base se produit moins, donc Ib tend à diminuer ---> Pour garder le Ib, on augmente le même Vbe -> Ic augmente car il est directement fonction de Vbe

Mais il y a une partie dans mes arguments logiques qui est: "La recombinaison dans la base se produit moins par conséquent, Ib tend à diminuer".

Mais le courant de base ne survient pas seulement à cause de la recombinaison mais également à cause des trous dans la base qui se diffusent dans l'émetteur. Et pour moi, si la base s'amincit, la diffusion devrait être plus facile et Ib a tendance à augmenter.

Donc, ma confusion est que lorsque le Vce est augmenté, Ib tend à la fois à diminuer et à augmenter. Cela invalide alors ma logique.

Où est-ce que je me trompe?

$I_{Br}$

1. Comme les électrons (porteurs majoritaires) injectés par l'émetteur subissent moins de recombinaison dans la base, le courant du collecteur augmente.

2. Puisque le courant de recombinaison est en train de diminuer, la réinjection de trous (porteurs minoritaires) de la base à l'émetteur augmentera pour maintenir le courant de base fixe. Cela augmente légèrement la tension base-émetteur.

Je pense que vous avez légèrement mélangé les deux points ci-dessus.