Pourquoi Vbc est-il absent des équations bjt?

En polarisation BJT, les tensions Vbe et Vce sont toujours présentes dans les calculs. La tension Vbc est-elle absente de toute équation parce que l'un des collecteur, base et émetteur est mis à la terre ou pour toute autre raison concernant la théorie des semi-conducteurs?

Vous avez tort dans votre assertion intitulée. Mais je peux deviner d'où ça vient.

La plupart des gens utilisent les concepts les plus simples dont ils ont besoin pour faire le travail. Ils sont préoccupés par la tension directe,$V_{BE}$, qui est quelque peu impacté par le courant du collecteur et très impacté par la température ... c'est donc important ... et $V_{CE}$ est immédiatement lié à la saturation ou non du BJT, ce qui a un impact sur des questions très $\beta$, dissipation probable et température de fonctionnement, qui sont également très importantes. D'ailleurs, si vous savez$V_{BE}$ et $V_{CE}$ alors tu sais $V_{BC}$. Vous pourriez aussi vous en soucier. Par exemple, l'effet Early ... Mais c'est d'une importance secondaire.

Mais vous vous trompez de toute façon. Le premier modèle de transistor à connaître est le modèle Ebers-Moll. Son modèle de niveau 1 comprend trois façons distinctes de voir le BJT: le transport, l'injection et l'hybride-pi. Ce sont des vues équivalentes, mais elles ont différents domaines où elles sont plus faciles à appliquer.

Voyons d'abord le modèle d'injection (s'adressant aux courants de diode ):

• $I_F = I_{ES} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BE}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $I_R = I_{CS} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BC}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $I_C = \alpha_F \cdot I_F - I_R$
• $I_B = \left( 1 - \alpha_F \right) \cdot I_F + \left( 1 - \alpha_R \right) \cdot I_R$
• $I_E = -I_F + \alpha_R \cdot I_R$

Maintenant, la version transport (s'adressant aux courants collectés ):

• $I_{CC} = I_S \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BE}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $I_{EC} = I_S \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BC}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $I_C = I_{CC} + \left[ -\frac{1}{\alpha_R} \right] \cdot I_{EC}$
• $I_B = \left[ \frac{1}{\alpha_F} - 1 \right] \cdot I_{CC} + \left[ \frac{1}{\alpha_R} - 1 \right] \cdot I_{EC}$
• $I_E = \left[ -\frac{1}{\alpha_F} \right] \cdot I_{CC} + I_{EC}$

Enfin, l'hybride non linéaire$\pi$ (sympa, car la linéariser dans le cas des petits signaux conduit directement à l'hybride linéaire à petits signaux bien connu-$\pi$ modèle):

• $\frac{I_{CC}}{\beta_F} = \frac{I_S}{\beta_F} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BE}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $\frac{I_{EC}}{\beta_R} = \frac{I_S}{\beta_R} \cdot \left[ e^{\frac{q\cdot V_{BC}}{k\cdot T}} - 1 \right]$
• $I_{CT} = I_{CC} - I_{EC}, \rm{(generator \,\, current)}$
• $I_C = \left( I_{CC} - I_{EC} \right) - \frac{I_{EC}}{\beta_R}$
• $I_B = \frac{I_{CC}}{\beta_F} + \frac{I_{EC}}{\beta_R}$
• $I_E = -\frac{I_{CC}}{\beta_F} - \left( I_{CC} - I_{EC} \right)$

Comme vous pouvez facilement le voir maintenant, $V_{BC}$occupe une place assez importante dans la modélisation BJT la plus élémentaire et de premier niveau. Et ça ne s'arrête pas là. Il est présent dans EM1 (perspective DC), EM2 (DC plus précis avec 3 nouvelles résistances à valeur constante dans chaque sonde, modélisation de premier ordre du stockage de charge pour la fréquence et le temps), EM3 (modulation de largeur de base - effet précoce, variation du gain de courant direct avec courant de collecteur, autres améliorations DC et AC, etc.), Gummel-Poon (mod de largeur de base et$\beta$vs I, AC et variations avec les températures ambiantes, etc.), des versions modifiées de ceux-ci, et même dans les derniers modèles. Vous n'avez tout simplement pas encore été exposé au premier niveau de modélisation BJT. C'est tout. En effet, pour de nombreux besoins (sinon la plupart), vous pouvez simplifier encore plus le modèle de base BJT EM1 et ignorer un peu et vous débrouiller, d'accord.

Divulgation complète: Les trois images ci-dessus ont été prises directement à partir de "Modélisation du transistor bipolaire" d'Ian Getreau, qui a été écrit à l'origine vers 1974 par Ian, alors employé chez Tektronix (qui avait à l'époque un "STS" [systèmes de test de semi-conducteurs] Division.) J'ai reçu mon premier exemplaire du livre en 1979, lorsque j'ai commencé comme employé chez Tektronix. Ian a depuis obtenu les droits de Tektronix (en 2009) et l'a republié via Lulu. Il est donc toujours disponible aujourd'hui. [Je n'ai jamais rencontré Ian et je ne reçois rien de lui pour la vente du livre ou pour toute autre raison. Mais je l'ai aidé à le faire republier car le livre est unique et devait redevenir disponible.] La moitié de son livre est consacrée à diverses techniques que l'on peut utiliser pour extraire, par l'expérience,