Comprendre une diode «idéale» constituée d'un transistor MOSFET à canal p et PNP


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Les modèles Raspberry Pi B + ont un circuit de protection entre le connecteur USB et le réseau 5V sur la carte. Ils recommandent de mettre une circuit de protection similaire sur un Pi HAT avant de `` remettre en marche '' le pi via son en-tête GPIO avec un polyfuse. Je comprends pourquoi c'est la recommandation, mais j'aimerais en savoir plus sur le fonctionnement de ce circuit.

J'ai fait quelques recherches avant de poster cette question et j'ai trouvé des informations sur l'utilisation d'un MOSFET comme diode de chute de basse tension, mais ils avaient tous la grille câblée directement à la terre sans la paire de PNP et les résistances. Que font-ils pour ce circuit? Est-ce que cela utilise principalement la diode du corps? Dans ce cas, quelles sont les informations pertinentes sur la fiche technique qualifiant le DMG2305UX pour cette application? Dans les autres circuits que j'ai trouvés, il semblait faible Rdson et Vgsth compatible avec le circuit semblait être les caractéristiques pertinentes.

diode de sécurité «idéale»


Votre circuit est valide. J'en ai utilisé une version qui a un transistor et une diode que j'ai appelé la FIODE .Votre circuit est bon pour BT et mon circuit est bon pour HV.Il y a beaucoup de raisons pour lesquelles vous êtes mieux avec l'ancienne porte au sol.
Autistic

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@Autistic veuillez être courageux et publier les raisons pour lesquelles cela (et le vôtre) est meilleur.
skvery

C'est bon. Le réseau de transistors qui est SMD sera bien adapté pour VBe. Mon circuit a des pièces traversantes et est meilleur pour les hautes tensions. Pour les faibles volts, le réseau SMD est le plus sensible.
Autistic

Réponses:


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L'idée des transistors est que:

  • Si la gauche est basse et la droite haute R2 (et le transistor gauche un peu) polarisera négativement la base de la base du transistor droit, lui permettant de pousser la grille à la tension droite; la fermeture du canal du FET et la diode du corps se bloqueront également.
  • Si la droite est basse et la gauche haute, la jonction du transistor gauche fonctionnera comme une diode et tirera la base du transistor droit assez haut pour se fermer, permettant à R3 de tirer la grille bas, ouvrant le transistor. Initialement, le côté droit commencera à être alimenté par la diode du corps, mais assez rapidement la faible résistance du canal prendra le relais, provoquant une très faible chute.

Le transistor gauche agit donc comme une diode adaptée au transistor droit. Les valeurs exactes des composants peuvent dépendre un peu de la paire appariée MOSFET et PNP choisie. Des astuces similaires sont disponibles sous d'autres formes, mais c'est la plus connue.


Si vous attachez la grille du MOSFET directement à la terre, comme ceci:

schématique

simuler ce circuit - Schéma créé à l'aide de CircuitLab

Vous créez effectivement un lien permanent, avec éventuellement un comportement de démarrage ajusté. Habituellement, ce comportement au démarrage est amélioré en utilisant des condensateurs et / ou des résistances sur le chemin de grille.

Parce que si la gauche est haute et la droite non, la droite sera soulevée par la diode du corps, alors la source deviendra plus haute que la grille, ce qui provoquera l'activation du FET. Si la droite monte haut, la source monte tout de suite par rapport à la porte et de nouveau le FET s'active. Pas grand chose pour l'action des diodes.


Dans les deux cas, vous rechercherez généralement un transistor à effet de champ qui a une très faible résistance en marche au moins 10 à 20% inférieure à la tension de fonctionnement minimale. Donc, si vous l'utilisez sur 3,3 V, vous voudriez un FET entièrement activé à 2,5 V environ, ce qui signifierait probablement un seuil de 1,2 V ou moins, mais cela dépend des fiches techniques.


La version normale de la diode idéale FET uniquement utilise une partie N-ch avec la source à l'entrée de puissance et le drain à la charge ...
ThreePhaseEel

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@ThreePhaseEel AFAIK Pour les hautes fréquences qui nécessiteraient un variateur de tension de grille au-dessus du niveau de la source (c'est-à-dire un pilote comme dans cds.linear.com/docs/en/datasheet/4357fd.pdf avec pompe de charge intégrée), ou une sorte de supercherie autour d'un type d'épuisement très soigneusement choisi (défi ici!), Aucun des deux n'est une solution à FET unique. (et la conception de type P dans OP battra probablement l'épuisement de la tromperie à l'échelle de l'effort par rapport aux résultats dans toutes les situations imaginables)
Asmyldof

Il se peut que vous ayez raison. Permettez-moi de déterrer la documentation à ce sujet ...
ThreePhaseEel

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En fait, vous avez raison de dire qu'un PFET est le cas normal pour le côté haut - mais je doute de votre explication car l'action de la diode nécessaire est lorsque la gauche passe sous la terre (c'est-à-dire la porte), pas lorsque la gauche n'est pas alimentée et la droite est au dessus du sol.
ThreePhaseEel

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Bien que je n'aie jamais dit que l'action de la diode était nécessaire pendant le fonctionnement normal, expliquant simplement qu'elle est là, j'ai (simplement) omis qu'elle ne soit nécessaire qu'en cas de pointes de connexion inverse et similaires.
Asmyldof
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