Comment la diode de protection protège le transistor de la panne?

Veuillez expliquer le processus de panne; comment exactement cette diode de protection protège le transistor?

Dans un livre de Horowitz & Hill, "The Art of Electronics", 2e édition, dans "Chapter 2 - Transistors" (page 68), j'ai lu ce qui suit:

2. Rappelez-vous toujours que la tension de claquage inverse base-émetteur pour les transistors en silicium est faible, souvent aussi faible que 6 volts. Les oscillations d'entrée suffisamment grandes pour mettre le transistor hors de conduction peuvent facilement entraîner une panne (avec une dégradation conséquente du hFE à moins qu'une diode de protection ne soit ajoutée (Fig. 2.10).

Impossible de comprendre comment cette diode protège le transistor contre les pannes si le courant ne va que dans une direction dans cette diode.

^{simuler ce circuit - Schéma créé à l'aide de CircuitLab}

La diode est en place pour protéger le transistor d'une panne inverse de . Si vous polarisez en sens inverse la jonction base-émetteur en prenant l'émetteur du transistor à ~ plus positif que la base, il se décomposera et commencera à conduire.$V_{BE}$$6\rm{V}$

Cette panne inverse endommage la jonction base-émetteur, provoquant une dégradation de .$h_{FE}$

En plaçant une diode comme indiqué, la tension de polarisation inverse est limitée à ~ ; les tentatives pour appliquer plus de tension seront vaines, car la diode conduira beaucoup de courant et empêchera une augmentation de la tension. Cela protège la jonction base-émetteur du transistor.$0.7\rm{V}$