Quel effet la stérilisation par rayonnement gamma a-t-elle sur les appareils électroniques intégrés

Nous venons de recevoir 3 pièces d'équipement qui ont pu être soumises par inadvertance à un processus de stérilisation par radiation gamma. L'équipement est un appareil embarqué de faible puissance composé d'un microcontrôleur 16 bits avec mémoire FLASH périphérique et SRAM sauvegardé par une batterie au lithium. L'équipement semble complètement mort.

Quels effets possibles le rayonnement gamma aurait-il sur les appareils embarqués? Corruption de mémoire FLASH? Dégradation du circuit? Panne de composant?

Plus d'informations:

L'équipement est trois instruments néphélométriques que nous fabriquons, qui utilisent un enregistreur COTS assez cher comme cerveau. Les instruments nous ont été renvoyés de l'étranger avec quelques échantillons de sédiments. Les douanes et la quarantaine ont décidé qu’elles voulaient stériliser les échantillons de sédiments, et je pense qu’elles ont dû également passer les instruments.

Le pronostic n'est probablement pas trop éclair [gémissement].

Selon l'énergie du rayonnement, la mort de l'appareil varie de possible à pratiquement certaine.

Vous pouvez potentiellement vous attendre à tous les effets que vous avez décrits.
Même si, apparemment, il fonctionne toujours, vous pouvez augmenter les courants de fuite et le «malheur général».

Quelle était la source gamma? quelle énergie ?, quelle distance? Pourquoi?

Dommages causés par les radiations dans les dispositifs de mémoire électroniques PDF
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dit:

... Les résultats obtenus montrent que le rayonnement gamma provoque une diminution de la tension de seuil, étant proportionnel à la dose de rayonnement absorbée.

EPROM & EEPROM: ... Le rayonnement gamma provoque la génération de paires électron-trou dans l'isolant SiO2 de la grille. Le nombre de paires générées est directement proportionnel à l'énergie déposée dans le matériau, en fonction de la dose totale de rayonnement absorbée [8, 14]. ...

Conclusion

... Sur la base de l'analyse des données recueillies à partir des expériences réalisées, l'exposition des mémoires à semi-conducteurs au rayonnement gamma provoque trois effets: la capture de trous dans les sites de piégeage d'un oxyde, l'injection de trous d'oxyde dans le FG et l'émission d'électrons par le FG- interface d'oxyde.

La génération de paires électron-trou conduit au piégeage de porteurs (trous) chargés positivement dans l'isolant, entraînant un changement négatif des caractéristiques. A savoir, les porteurs chargés positivement induits par le rayonnement gamma nécessitent l'augmentation de la tension de grille négative pour compenser la charge positive. Cela signifie que le rayonnement gamma provoque une diminution de la tension de seuil, étant proportionnelle à la dose de rayonnement absorbée.

NASA - Puces dans l'espace